?單面拋光機是指使用化學(xué)機械拋光方式，對300m兩面拋光硅片的正方向建設(shè)銀行再度拋光，以減少硅片表面的微表面粗糙度和霧氣(Haze)缺點的工藝技術(shù)。30mm硅片通過兩面拋光后，因為依然存有表面損害缺點，及其上道工型成的表面活污，在顯微鏡下收看，仿佛存有一層霧氣機構(gòu)，這會危害事后外延性加工工藝品質(zhì)或元器件特性品質(zhì)，因而必須經(jīng)過再度細(xì)致拋光，最大限度地減少零狀缺點，因此單面拋光也稱之為霧拋光(HazePolishing)。300mm硅片通過單面拋光后，事后的生產(chǎn)制造加工工藝不會再有機械類型的生產(chǎn)過程，因此單面拋光機也稱作最后拋光機。

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在生產(chǎn)加工除去基本原理上，單面拋光的除去基本原理與硅片拋光機的原理同樣。因為單面拋光是細(xì)致拋光，拋光液需選用細(xì)致耐磨材料以產(chǎn)生適當(dāng)?shù)奈勰嘭?fù)荷，相對應(yīng)的拋光加工工藝--般選用數(shù)次拋光，因此單面拋光機般選用2個或三個串行通信拋光步驟構(gòu)造。它可完成粗拋一精拋一細(xì)致拋的實際效果，圖上箭頭符號所顯示方位為硅片拋光步驟的加工工藝部位次序。

此外，充分考慮硅片表面環(huán)境污染及拋光除去產(chǎn)生的硅片臉形精密度規(guī)定，單面拋光機的拋光液是多樣性的，不可回收再運用。與此同時，充分考慮拋光墊除去功效的危害及拋光液在拋光墊上的劃分等要素，單面拋光機理論上采用片式/每臺(單硅片，單拋光臺)構(gòu)造方法(相近CMP機器設(shè)備方法)，如圖所示8-46所顯示。在單面拋光全過程中，硅片運用真空泵吸咐并夾緊在維持環(huán)內(nèi)，伴隨著拋光頭做轉(zhuǎn)動活動和往復(fù)式搖擺健身運動。拋光頭施加壓力組織產(chǎn)生工作壓力，使硅片與拋光墊卡緊，拋光墊隨拋光臺做轉(zhuǎn)動健身運動，硅片與拋光墊產(chǎn)生相對速度，造成機械磨擦，進(jìn)而產(chǎn)生除去功效。微芒墊整修器對刷子盤增加一定的工作壓力井做轉(zhuǎn)動和往復(fù)式搖擺健身運動，對拋光墊開展自廂性調(diào)整，進(jìn)而維持推光墊的磨擦除去特性。

因為單面拋光加工工藝中的拋光液是多樣性的，因此單面拋光的費用較高。為了更好地提升拋光液的使用率，與此同時充分考慮提升單面拋光機機器設(shè)備的生產(chǎn)高效率，單面拋光機般選用多頭/每臺(雙硅片，單拋光臺)構(gòu)造方法，以拋光臺總數(shù)來歸類，單面拋光機可分成每臺單面拋光機，雙臺單面拋光機和三臺單面拋光機。初期的每臺單面拋光機選用雙頭(一般為4頭)拋光構(gòu)造，可明顯增強生產(chǎn)率，減少產(chǎn)品成本，但為了能完成粗拋，精拋，細(xì)致拋等全自動全過程，必須 集成化自動化技術(shù)硅片傳送設(shè)備，將兩部之上的每臺單面拋光機連接起來應(yīng)用。伴隨著30m硅片被使用到65m下列連接點的優(yōu)秀集成電路芯片生產(chǎn)制造中，對硅片品質(zhì)的需求愈來愈高，因此市面上主要是以三臺單面拋光機為流行機器設(shè)備。

單面拋光機的另一種歸類方法是依拋光頭軌跡來區(qū)劃，可分成回轉(zhuǎn)式和直線型二種。參照圖8-44,轉(zhuǎn)盤式單面拋光機的全部拋光頭，拋光臺均圍繞核心傳動軸合理布局，拋光頭根據(jù)核心軸的轉(zhuǎn)動測量范圍，健身運動到所需工序的拋光臺對硅片開展拋光。轉(zhuǎn)盤式單面拋光機構(gòu)造比較緊密。為了更好地提升單面拋光機的生產(chǎn)率，依照當(dāng)今技術(shù)性現(xiàn)況，三臺拋光機構(gòu)造與此同時有6個拋光頭參加拋光，加上有此外2個拋光頭參加硅片運載與卸載，那樣的單面拋光機就會有8個拋光頭，因而三臺/八頭拋光機是30m硅片單面拋光機的主要機器設(shè)備。而直線型單面拋光機受硅片運載，卸載的牽制，只有制定成雙臺/四頭構(gòu)造，機器設(shè)備高效率較低。表8-16所列入單面拋光機的具體性能參數(shù)